真空鍍膜設(shè)備主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。
蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)，并且沉降在基片表面，通過(guò)成膜過(guò)程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng))形成薄膜。 對(duì)于濺射類鍍膜，可以簡(jiǎn)單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來(lái)，并且最終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過(guò)蒸發(fā)鍍膜設(shè)備+所鍍產(chǎn)品圖蒸發(fā)鍍膜設(shè)備+所鍍產(chǎn)品圖程，最終形成薄膜。
采用高熔點(diǎn)金屬做成合適的形狀(如加熱絲、加熱舟、坩堝、盒狀源等)裝上待蒸發(fā)材料，對(duì)政法材料進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)。采用這種蒸發(fā)源的時(shí)候，對(duì)蒸發(fā)材料有以下幾點(diǎn)要求：
(3) 化學(xué)性能要穩(wěn)定，且具有良好的耐熱性，熱源變化時(shí)，功率密度變化較?。?/div>
(4) 成本低；
(5) 蒸發(fā)源對(duì)膜材料的“濕潤(rùn)性”好。
電阻式蒸發(fā)源具有以下有點(diǎn)：第一，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便、造價(jià)低廉，因此使用普遍；第二，常用來(lái)蒸發(fā)蒸發(fā)溫度小于1500℃的鋁、金、銀等金屬，蒸發(fā)一些硫化物、氟化物和某些氧化物。
2、電子束加熱蒸發(fā)源
根據(jù)電子束蒸發(fā)源的形式不同，可以分為：環(huán)形槍、直槍、e型槍和空心陰極電子槍幾種。其具有以下優(yōu)點(diǎn)：
(1) 與電阻加熱源相比可以減少污染；
(2) 能量集中，使膜料局部表面受到很高的溫度, 而其它部分的溫度低。因而，可使高熔點(diǎn)(可以高達(dá)3000℃)的材料蒸發(fā), 且有較高的蒸發(fā)速率；
(3) 可以準(zhǔn)確、方便地控制蒸發(fā)溫度；
(4) 有較大的溫度調(diào)節(jié)范圍，對(duì)高、低熔點(diǎn)的膜料都適用，適用性寬，特別適合蒸鍍?nèi)埸c(diǎn)高達(dá) 2000℃左右的氧化物。
缺點(diǎn)：
(1) 通常蒸鍍的膜層較薄；
(2) 蒸鍍的薄膜組分復(fù)雜。
3、激光蒸發(fā)源
通過(guò)聚焦可使激光束功率密度達(dá)到106W/cm2 以上，它是以無(wú)接觸加熱的方式使膜料迅速氣化，然后淀積在基片上形成薄膜的方法。使用高功率的連續(xù)或脈沖激光束作為能源進(jìn)行薄膜的蒸發(fā)沉積的方法被稱為激光沉積法。
優(yōu)點(diǎn)：
(1) 能蒸發(fā)任何高熔點(diǎn)材料，可以蒸發(fā)各種材料，且獲得很高的蒸發(fā)速率；
(2) 與電阻加熱蒸發(fā)源相比可以減少鍍膜受污染；
(3) 非常適合于蒸發(fā)化合物或合金；
(4) 與電子束蒸發(fā)源相比，它避免了電子束蒸發(fā)膜面帶電的缺點(diǎn)。
缺點(diǎn)：
(1) 長(zhǎng)時(shí)間工作，激光進(jìn)入鐘罩窗口處的透鏡會(huì)受到影響；
(2) 激光蒸發(fā)器較昂貴，且并非對(duì)所有材料都顯示其*性；
(3) 由于蒸發(fā)材料溫度太高，蒸發(fā)粒子(原子、分子、簇團(tuán)等)多易離子化，從而會(huì)對(duì)膜結(jié)構(gòu)和特性產(chǎn)生一定影響。
4、高頻感應(yīng)蒸發(fā)源
優(yōu)點(diǎn)：
(1) 它是面蒸發(fā)，蒸發(fā)速率大，可以比電阻蒸發(fā)源大10倍左右；
(2) 蒸發(fā)源的溫度均勻穩(wěn)定，不易產(chǎn)生飛濺現(xiàn)象；
(3) 蒸發(fā)源一次裝料，無(wú)需送料機(jī)構(gòu)，溫度控制較容易，操作比較簡(jiǎn)單。
缺點(diǎn)：
(1) 因?yàn)榻佑|易造成污染；
(2) 只能蒸發(fā)導(dǎo)電的膜料；
(3) 設(shè)備必須屏蔽，且需要復(fù)雜和昂貴的高頻發(fā)生器。
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