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簡(jiǎn)要描述：AllN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法，用來(lái)取代氮化鋁單晶襯底。科晶真誠(chéng)歡迎您的垂詢(xún)！
產(chǎn)品型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2024-10-22訪 問(wèn) 量：2422相關(guān)文章
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產(chǎn)品名稱(chēng)： | 氮化鋁(AlN)薄膜 | ||||||||||||||||
產(chǎn)品簡(jiǎn)介： | AllN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法，用來(lái)取代氮化鋁單晶襯底。科晶真誠(chéng)歡迎您的垂詢(xún)！ | ||||||||||||||||
技術(shù)參數(shù)： |
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產(chǎn)品規(guī)格： | 氮化鋁(藍(lán)寶石襯底)：dia2"*1500nm±10% 注：可根據(jù)客戶(hù)需求定制特殊的方向和尺寸。 | ||||||||||||||||
標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
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Sapphire | GaN | Other AlN template | ZnO |
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