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GaAs晶體基片

簡要描述:砷化鎵(GaAs)晶體基片

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2024-10-22
  • 訪  問  量:1556

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱:

砷化鎵(GaAs)晶體基片

技術(shù)參數(shù):

 單晶

 砷化鎵(GaAs)

 摻雜

 NoneSi;CrTe;Zn

 導(dǎo)電類型

 SI;N;SiN;P

 載流子濃度cm-3

 /> 5x1017     /~2x1018    >5x1018

 位錯(cuò)密度cm-2

 <5x105

 生長方法及zui大尺寸

 LEC & HB ?3"


產(chǎn)品規(guī)格:

常規(guī)晶向:<100>、<110><111>;

晶向公差:±0.05°

常規(guī)尺寸:5x5x0.5mm; 10x10x0.5mm;dia1"x0.5mm;

         dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.5mm;

拋光情況:細(xì)磨、單拋、雙拋;

表面粗糙度Ra:<15A


注:可按照客戶要求加工尺寸和晶向


標(biāo)準(zhǔn)包裝:

1000級超凈室100級超凈袋真空封裝或單片盒裝

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