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坩堝(樣品臺)可移動型1200℃管式爐--OTF-1200X-S-HPCVD

簡要描述:OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩堝可爐管內(nèi)移動(靠步進(jìn)電機(jī)控制)的小型開啟式管式爐。爐管直徑為50mm,設(shè)備Z高工作溫度為1200℃。
設(shè)備特點:坩堝通過一步進(jìn)電機(jī)控制爐管,按照設(shè)定程序移動,同時坩堝后端安裝一熱電偶(隨坩堝儀器移動),可實時監(jiān)測樣品的溫度,意味著可通過移動坩堝的位置,在爐體中準(zhǔn)確找到實驗所需要的溫度,使得實驗準(zhǔn)確度更高,重復(fù)性更強(qiáng)。此款設(shè)備可用于多種實驗,比

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2024-10-22
  • 訪  問  量:1883

詳細(xì)介紹

      OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩堝可爐管內(nèi)移動(靠步進(jìn)電機(jī)控制)的小型開啟式管式爐。爐管直徑為50mm,設(shè)備zui高工作溫度為1200℃。
      設(shè)備特點:坩堝通過一步進(jìn)電機(jī)控制爐管,按照設(shè)定程序移動,同時坩堝后端安裝一熱電偶(隨坩堝儀器移動),可實時監(jiān)測樣品的溫度,意味著可通過移動坩堝的位置,在爐體中準(zhǔn)確找到實驗所需要的溫度,使得實驗準(zhǔn)確度更高,重復(fù)性更強(qiáng)。此款設(shè)備可用于多種實驗,比如HPCVD(hybrid physical chemical deposition),快速熱蒸發(fā),也可用于水平布里奇曼(Bridgman)法來長晶體。

 

技術(shù)參數(shù)

高溫爐部分

  • 爐體設(shè)計為開啟式,以便于更換爐管
  • 工作電源:208 - 240 VAC, 50/60Hz
  • zui大功率為:2KW
  • zui高工作溫度:1200℃(<1hr)
  • 連續(xù)工作溫度:1100
  • 加熱區(qū)長度:200mm
  • 恒溫區(qū)長度:60mm(+/-1℃ @ 1000 ℃ )
  • 爐管:高純石英管,尺寸50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L)(點擊圖片查看詳細(xì)資料)
  •               

溫度控制系統(tǒng)

  • 采用PID30段程序化控溫,其控溫精度為+/-1℃
  • 控溫儀表操作視頻
  • 設(shè)有過熱和斷偶保護(hù)
  • 熱電偶采用K型熱電偶
  •  

真空密封

  • 采用KF結(jié)構(gòu)密封法蘭,硅膠密封圈密封
  • 法蘭上安裝有一機(jī)械壓力表
  • 左端法蘭與一個真空不銹鋼波紋管連接(不銹鋼波紋管zui大伸縮幅度為150mm)
  • 真空度:10-2Torr(用機(jī)械泵抽)  10-5Torr(用分子泵抽)

坩堝移動機(jī)構(gòu)&PLC控制

  • 一個直徑為1/4"的歐米伽鎧裝熱電偶(K型),通過法蘭伸入到爐管中,并可隨坩堝移動,可實時監(jiān)測樣品的實際溫度。
  • 通過步進(jìn)電機(jī)移動爐管內(nèi)的坩堝(樣品臺),zui大行程為100mm,移動精度為1mm
  • 通過觸摸屏設(shè)定坩堝一定的距離和目標(biāo)位置,坩堝移動速度為180mm/min(更精確的移動速度,可與本公司定制,需額外收費)
  • 可觀察下圖,了解坩堝與熱電偶的安裝方法
  •   

zui大加熱速率和冷卻速率

可通過移動樣品到已預(yù)加熱的爐體中來得到zui大的加熱速率,也可將樣品迅速移除高溫的爐體,來得到zui大的降溫速率

zui大加熱速率

10/sec (150 - 250);
7/sec (250 - 350);
4/sec (350 - 500);
3/sec (500 - 550);
2/sec (550 - 650);
1/sec (650 - 800);
0.5/sec (800 - 1000);

zui大降溫速率

10/sec (950 - 900);
7/sec (900 - 850);
4/sec (850 - 750);
2/sec (750 - 600);
1.5/sec (600 - 500);
1/sec (500 - 400);
0.5/sec (400 - 300);

 

可選配件

  • 可選購手動擋板閥(圖1)
  • 防腐型數(shù)顯真空計(圖4)
  • 快速連接法蘭,以方便于放置樣品(圖2)
  • 多路質(zhì)量流量計控制的混氣系統(tǒng),用于CVD和DVD實驗(圖5)
  •     

尺寸

     

質(zhì)保

一年質(zhì)保期,終生維護(hù)(不含加熱元件、爐管和密封圈)

質(zhì)量認(rèn)證

  • CE認(rèn)證
  • 所有電器元件(>24V)都通過UL/MET/CSA認(rèn)證
  • 若客戶出認(rèn)證費用,本公司保證單臺設(shè)備通過德國TUV認(rèn)證或CAS認(rèn)證
         

注意事項

  • 爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa
  • 由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高,所以向爐管內(nèi)通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全
  • 當(dāng)爐體溫度高于1000℃時,爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng),保持在常壓狀態(tài)
  • 進(jìn)入爐管的氣體流量需小于200SCCM,以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊
  • 石英管的長時間使用溫度<1100℃
  • 對于樣品加熱的實驗,不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù),若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa,必須立刻打開泄氣閥,以防意外發(fā)生(如爐管破裂,法蘭飛出等)

應(yīng)用

  • 此款設(shè)備可用于多種實驗,以下列出了幾種實驗方法
  • RTE(快速熱蒸發(fā)):蒸發(fā)料放在坩堝中,放入到爐體中心,基片放在樣品臺上,樣品臺與熱電偶相連接,然后將樣品臺移動到理想的位置(此位置溫度是實驗所需要的溫度)
  • HPCVD(混合物理化學(xué)沉積):與RTE相似,但需配混氣系統(tǒng),對反應(yīng)氣體混合并控制流量,同時也需設(shè)定蒸發(fā)料的位置(確定蒸發(fā)料的蒸發(fā)溫度)
  • 水平布里奇曼(Bridgman)法來長晶體:將樣品和籽晶放入到坩堝中,并將坩堝放入到爐體中心位置,然后設(shè)定坩堝移動速度,慢慢移動坩堝

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